Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

BA158GHR1G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G A0G

hissə-hissə: 95

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHR1G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHA0G

hissə-hissə: 84

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54CW RVG

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54W RVG

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54SW RVG

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54AW RVG

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157G B0G

hissə-hissə: 185

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RKG

hissə-hissə: 196

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M M2G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 65ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHA0G

hissə-hissə: 180

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHB0G

hissə-hissə: 199

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHB0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G B0G

hissə-hissə: 191

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G R1G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20J R3G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G B0G

hissə-hissə: 197

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M R3G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 65ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M M2G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Avalanche, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHR1G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHB0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHA0G

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L0G

hissə-hissə: 251

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L0G

hissə-hissə: 251

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21 A0G

hissə-hissə: 203

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20 A0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L1G

hissə-hissə: 217

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19 A0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L1G

hissə-hissə: 215

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21W RVG

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21 RFG

hissə-hissə: 263

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19 RFG

hissə-hissə: 250

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530WF RHG

hissə-hissə: 195

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W RHG

hissə-hissə: 237

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W-G RHG

hissə-hissə: 216

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu