Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BAS40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS40 RFG

hissə-hissə: 245

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
B0520LW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LW RHG

hissə-hissə: 187

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 14V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 385mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAT54C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54C RFG

hissə-hissə: 240

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV19W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W RHG

hissə-hissə: 194

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV20WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS RRG

hissə-hissə: 207

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT43W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43W RHG

hissə-hissə: 216

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV20WS-G RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS-G RRG

hissə-hissə: 252

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV21WS-G RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS-G RRG

hissə-hissə: 191

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV19WS-G RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS-G RRG

hissə-hissə: 191

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS116 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS116 RFG

hissə-hissə: 211

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 3ns,

Arzu
BAV20W-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W-G RHG

hissə-hissə: 233

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT54 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54 RFG

hissə-hissə: 182

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAS19W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19W RVG

hissə-hissə: 206

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT43WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43WS RRG

hissə-hissə: 222

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS20W RVG

hissə-hissə: 257

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV21WS R9G
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS R9G

hissə-hissə: 198

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
B0520LWF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LWF RHG

hissə-hissə: 234

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 385mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
B0540WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

B0540WF RHG

hissə-hissə: 254

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAT43X RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RSG

hissə-hissə: 217

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV19WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS RRG

hissə-hissə: 191

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS16 RFG

hissə-hissə: 180

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
BYG20D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20D R3G

hissə-hissə: 7763

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYG21MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21MHR3G

hissə-hissə: 7827

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu
BAS85-L0 L1
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1

hissə-hissə: 1429

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAT42-L0 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42-L0 R0G

hissə-hissə: 1461

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV21WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS RRG

hissə-hissə: 9913

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G A0G

hissə-hissə: 9917

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
BAV21W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W RHG

hissə-hissə: 9901

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
B0530W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

B0530W RHG

hissə-hissə: 9995

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 430mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAS70 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS70 RFG

hissə-hissə: 9971

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYG21M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M R3G

hissə-hissə: 11937

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu
BAV21W-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W-G RHG

hissə-hissə: 16265

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT42W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42W RHG

hissə-hissə: 16287

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20G R3G

hissə-hissə: 19460

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BAS85-L0 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1G

hissə-hissə: 9487

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAS85-L0 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L0G

hissə-hissə: 9563

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu