Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SRAF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1640 C0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBR790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR790 C0G

hissə-hissə: 119

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF61GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF61GHB0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF4007HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HR0G

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SFAF806G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806G C0G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1007GHC0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF4004HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4004HR0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SRAS8100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS8100 MNG

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1602G C0G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR805 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR805 R0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF7150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7150 C0G

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF66GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF66GHA0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF1604PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1604PT C0G

hissə-hissə: 89

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF25G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF25G A0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR115HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR115HR0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR815HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR815HR0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1005G C0G

hissə-hissə: 129

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MUR160AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHB0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR803HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR803HA0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS12LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LS RVG

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
UF1G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1G R0G

hissə-hissə: 151

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR110 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR110 R1G

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR815 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR815 R0G

hissə-hissə: 92

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SK12H60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK12H60 R0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
FR153G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR153G A0G

hissə-hissə: 143

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SF18GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF18GHR0G

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRAF1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1660HC0G

hissə-hissə: 124

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLWHRVG

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SR005HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR005HR0G

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF46G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF46G B0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1605G C0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR006 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR006 R0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR515 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR515 R0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1650HC0G

hissə-hissə: 106

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFS1605GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1605GHMNG

hissə-hissə: 141

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR804HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR804HR0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu