Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

hissə-hissə: 2145

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

hissə-hissə: 90

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

hissə-hissə: 186078

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

hissə-hissə: 2192

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

hissə-hissə: 178191

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

hissə-hissə: 171892

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

hissə-hissə: 189

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

hissə-hissə: 146891

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

hissə-hissə: 81

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

hissə-hissə: 162509

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

hissə-hissə: 165156

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

hissə-hissə: 146

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

hissə-hissə: 2124

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

hissə-hissə: 2193

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

hissə-hissə: 128

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

hissə-hissə: 188

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

hissə-hissə: 102439

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

hissə-hissə: 3308

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

hissə-hissə: 166487

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

hissə-hissə: 3223

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

hissə-hissə: 147502

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

hissə-hissə: 2025

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

hissə-hissə: 1951

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

hissə-hissə: 135884

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

hissə-hissə: 1906

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

hissə-hissə: 3274

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

hissə-hissə: 3264

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

hissə-hissə: 123572

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

hissə-hissə: 1971

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

hissə-hissə: 197244

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

hissə-hissə: 3192

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

hissə-hissə: 1945

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

hissə-hissə: 3219

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

hissə-hissə: 1973

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

hissə-hissə: 1960

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

hissə-hissə: 1923

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu