Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

hissə-hissə: 176974

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

hissə-hissə: 1741

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

hissə-hissə: 116110

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

hissə-hissə: 1726

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Arzu
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

hissə-hissə: 133617

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

hissə-hissə: 1717

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

hissə-hissə: 103457

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Arzu
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

hissə-hissə: 114770

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

hissə-hissə: 192815

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

hissə-hissə: 1776

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

hissə-hissə: 181928

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

hissə-hissə: 185360

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

hissə-hissə: 1709

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 200 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Arzu
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

hissə-hissə: 116839

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

hissə-hissə: 125855

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

hissə-hissə: 3186

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

hissə-hissə: 138320

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

hissə-hissə: 1723

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

hissə-hissə: 154084

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu