Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Optoisolators - Transistor, Fotovoltaik Çıx

  • Ev
  •  
  • Optoisolators - Transistor, Fotovoltaik Çıx
4N25A(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25A(SHORT,F)

hissə-hissə: 99024

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 20% @ 10mA, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 200µs,

Arzu
4N32(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N32(SHORT,F)

hissə-hissə: 5832

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 500% @ 10mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 5µs, 100µs (Max),

Arzu
4N36(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N36(SHORT,F)

hissə-hissə: 153096

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 40% @ 10mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs,

Arzu
4N38(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N38(SHORT,F)

hissə-hissə: 142675

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 10% @ 10mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs,

Arzu
4N26(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N26(SHORT,F)

hissə-hissə: 153083

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 20% @ 10mA, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 200µs,

Arzu
4N35(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N35(SHORT,F)

hissə-hissə: 110956

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 40% @ 10mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs,

Arzu
4N25(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25(SHORT,F)

hissə-hissə: 122076

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 20% @ 10mA, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 200µs,

Arzu
6N138F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138F

hissə-hissə: 5689

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 300% @ 1.6mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 1µs, 4µs,

Arzu
6N138(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138(TP1,F)

hissə-hissə: 132096

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 300% @ 1.6mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 1µs, 4µs,

Arzu
6N139(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N139(F)

hissə-hissə: 52030

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 500% @ 1.6mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 200ns, 1µs,

Arzu
6N136F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N136F

hissə-hissə: 51948

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 19% @ 16mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 200ns, 500ns,

Arzu
TLP385(D4-GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GRH,E

hissə-hissə: 5988

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP624LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624LF1F

hissə-hissə: 61608

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 1mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 1200% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 10µs, 8µs, Rise / Fall Time (Tip): 8µs, 8µs,

Arzu
TLP290(GB-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,SE

hissə-hissə: 170500

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP290(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GR,SE

hissə-hissə: 5882

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP187(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(E

hissə-hissə: 5841

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 1000% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 50µs, 15µs, Rise / Fall Time (Tip): 40µs, 15µs,

Arzu
TLP2403(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2403(F)

hissə-hissə: 37049

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 500% @ 1.6mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 300ns, 1µs,

Arzu
TLP387(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPR,E

hissə-hissə: 2609

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 1000% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 50µs, 15µs, Rise / Fall Time (Tip): 40µs, 15µs,

Arzu
TLP385(D4-BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BLL,E

hissə-hissə: 5878

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 200% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP185(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPL,SE

hissə-hissə: 191882

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP183(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BL-TPL,E

hissə-hissə: 171777

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 200% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP281-4(GB-TP,J,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281-4(GB-TP,J,F

hissə-hissə: 5770

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP781(GB-LF6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB-LF6,F)

hissə-hissə: 5976

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP183(YH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(YH,E

hissə-hissə: 2631

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 75% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 150% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP184(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPR,E)

hissə-hissə: 5912

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 9µs, 9µs, Rise / Fall Time (Tip): 5µs, 9µs,

Arzu
TLP388(D4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPR,E

hissə-hissə: 5899

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP293-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATRE

hissə-hissə: 160514

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP183(GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRH,E

hissə-hissə: 5733

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 150% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP627-4F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP627-4F

hissə-hissə: 21192

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 1000% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 50µs, 15µs, Rise / Fall Time (Tip): 40µs, 15µs,

Arzu
TLP385(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BLL,E

hissə-hissə: 2662

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 200% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP181(GR,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP181(GR,T)

hissə-hissə: 5911

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP185(TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(TPL,SE

hissə-hissə: 156609

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP731(D4-GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP731(D4-GR,F)

hissə-hissə: 58603

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 4000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP385(GRH-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH-TPR,E

hissə-hissə: 5984

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 150% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP504A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP504A(F)

hissə-hissə: 5711

Kanalların sayı: 2, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu
TLP620(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620(F)

hissə-hissə: 133149

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu