Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

181NQ045R

hissə-hissə: 95

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

hissə-hissə: 5037

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

hissə-hissə: 5020

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

hissə-hissə: 69

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

hissə-hissə: 5051

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

hissə-hissə: 74

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ040

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ035

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035S

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 18A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035S

hissə-hissə: 151

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 560mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045S

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 560mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035S

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045S

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KS5

hissə-hissə: 62

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 471A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

150L40A

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 471A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12S

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12FP

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08FP

hissə-hissə: 36

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10

hissə-hissə: 5083

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRL

hissə-hissə: 5042

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 19A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 19A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015S

hissə-hissə: 10049

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 19A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 19A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045S

hissə-hissə: 5024

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 18A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

185NQ015

hissə-hissə: 10038

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035

hissə-hissə: 10053

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 18A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100

hissə-hissə: 5013

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

15MQ040N

hissə-hissə: 10028

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu