Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
1N3957GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GPHE3/73

hissə-hissə: 857

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N3613GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GPHE3/73

hissə-hissə: 822

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N3612GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GPHE3/73

hissə-hissə: 854

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N3611GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GPHE3/73

hissə-hissə: 850

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N5401-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401-E3/54

hissə-hissə: 139162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5403-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5403-E3/54

hissə-hissə: 199841

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5822-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/73

hissə-hissə: 165662

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 525mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4002GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GP-M3/73

hissə-hissə: 436

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4004GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/54

hissə-hissə: 5073

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3085

hissə-hissə: 5526

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5401/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401/54

hissə-hissə: 418

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5819-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/51

hissə-hissə: 342

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5822-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/51

hissə-hissə: 354

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 525mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5408-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/51

hissə-hissə: 377

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5818-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818-E3/1

hissə-hissə: 349

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5407-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/51

hissə-hissə: 383

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5406-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/51

hissə-hissə: 354

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5404-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/51

hissə-hissə: 352

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5402-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/51

hissə-hissə: 330

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
15ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06-1

hissə-hissə: 247

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 32ns,

Arzu
15ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06

hissə-hissə: 207

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 32ns,

Arzu
15ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06FP

hissə-hissə: 217

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
15ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06-1

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06S

hissə-hissə: 224

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
15ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06

hissə-hissə: 235

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
18TQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ050

hissə-hissə: 237

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 18A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
10WQ045FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

10WQ045FN

hissə-hissə: 177

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03S

hissə-hissə: 213

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 40ns,

Arzu
15ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03-1

hissə-hissə: 214

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 40ns,

Arzu
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06S

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
15ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06-1

hissə-hissə: 242

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
15ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03

hissə-hissə: 234

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 40ns,

Arzu
15ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06

hissə-hissə: 236

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
129NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

129NQ135

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 135V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
189NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

189NQ135

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 135V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
10BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ030

hissə-hissə: 215

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 420mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu