Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08FP

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

hissə-hissə: 5069

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

hissə-hissə: 26

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

hissə-hissə: 49

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

hissə-hissə: 31

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
20ETF08
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
20ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

hissə-hissə: 56

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

hissə-hissə: 79

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

hissə-hissə: 38

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

hissə-hissə: 75

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
20ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

hissə-hissə: 10053

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

hissə-hissə: 10001

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
20ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

hissə-hissə: 10053

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

hissə-hissə: 10015

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

hissə-hissə: 5086

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
245NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

hissə-hissə: 10043

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

hissə-hissə: 5060

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

hissə-hissə: 10050

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

hissə-hissə: 9995

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

hissə-hissə: 9988

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

Arzu
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

hissə-hissə: 1468

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 330A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.22V @ 942A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

hissə-hissə: 107592

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

hissə-hissə: 111138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

hissə-hissə: 170598

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

hissə-hissə: 162083

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

hissə-hissə: 119879

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

hissə-hissə: 151354

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

hissə-hissə: 146657

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
31GF6-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

hissə-hissə: 110475

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
30HFU-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

hissə-hissə: 1057

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 80ns,

Arzu
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

hissə-hissə: 212

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.6V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

hissə-hissə: 243

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.6V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

hissə-hissə: 213

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 55ns,

Arzu
30WQ10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
30WQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 610mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu