Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06STRR

hissə-hissə: 254

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 24ns,

Arzu
8ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06-1

hissə-hissə: 208

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 24ns,

Arzu
8ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06

hissə-hissə: 211

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 24ns,

Arzu
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06FP

hissə-hissə: 5043

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
8ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06-1

hissə-hissə: 239

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
8ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06

hissə-hissə: 254

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
8EWS16S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16S

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS16STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16STRL

hissə-hissə: 212

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRR

hissə-hissə: 190

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06S

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
8ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06-1

hissə-hissə: 211

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
8ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06

hissə-hissə: 220

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
8ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03

hissə-hissə: 212

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
8ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03S

hissə-hissə: 235

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
8ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03-1

hissə-hissə: 193

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04S

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

hissə-hissə: 5547

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

hissə-hissə: 197

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

hissə-hissə: 5071

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

Arzu
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

hissə-hissə: 182

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

hissə-hissə: 5075

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu