Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

BAQ33-GS18

hissə-hissə: 197061

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS18

hissə-hissə: 118365

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-HE3-08

hissə-hissə: 154586

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-E3-18

hissə-hissə: 115452

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-G3-08

hissə-hissə: 188296

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-G3-18

hissə-hissə: 167611

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-G3-18

hissə-hissə: 119759

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-G3-08

hissə-hissə: 143586

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV203-GS08

hissə-hissə: 158966

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV103-GS08

hissə-hissə: 154952

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV101-GS08

hissə-hissə: 126245

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-18

hissə-hissə: 186037

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-G3-18

hissə-hissə: 149933

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-G3-08

hissə-hissə: 197144

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-G3-08

hissə-hissə: 115674

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-G3-18

hissə-hissə: 180934

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-18

hissə-hissə: 140710

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-HE3-18

hissə-hissə: 191615

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-HE3-08

hissə-hissə: 134671

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-HE3-18

hissə-hissə: 155571

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-HE3-18

hissə-hissə: 144085

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-HE3-08

hissə-hissə: 133282

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-E3-18

hissə-hissə: 109360

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-08

hissə-hissə: 135846

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV203-GS18

hissə-hissə: 130859

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-HE3-18

hissə-hissə: 151016

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-HE3-08

hissə-hissə: 194831

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS18

hissə-hissə: 182083

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV101-GS18

hissə-hissə: 125003

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS08

hissə-hissə: 141635

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS18

hissə-hissə: 199355

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS18

hissə-hissə: 105289

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV103-GS18

hissə-hissə: 176599

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-18

hissə-hissə: 108796

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-G3-08

hissə-hissə: 166520

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-G3-18

hissə-hissə: 126563

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu