Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BYV26C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TR

hissə-hissə: 143799

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-08

hissə-hissə: 163524

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/52T

hissə-hissə: 102416

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BA157-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/54

hissə-hissə: 114517

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYV26DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGP-E3/73

hissə-hissə: 159527

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BA159-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/54

hissə-hissə: 154614

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TR

hissə-hissə: 191875

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/97

hissə-hissə: 106924

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TAP

hissə-hissə: 183151

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TR

hissə-hissə: 131464

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 165V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR

hissə-hissə: 105305

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS08

hissə-hissə: 193112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TR

hissə-hissə: 123502

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TR

hissə-hissə: 103779

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TR

hissə-hissə: 136977

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/96

hissə-hissə: 161468

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-08

hissə-hissə: 178561

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-08

hissə-hissə: 180896

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-08

hissə-hissə: 155591

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/61T

hissə-hissə: 134345

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-08

hissə-hissə: 180654

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TR

hissə-hissə: 132524

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TR

hissə-hissə: 178480

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW75-TAP

hissə-hissə: 106301

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 25V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TAP

hissə-hissə: 172791

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BYM13-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/96

hissə-hissə: 177919

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TAP

hissə-hissə: 148905

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR3

hissə-hissə: 196643

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TAP

hissə-hissə: 181821

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TAP

hissə-hissə: 152235

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR

hissə-hissə: 195021

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-02V-V-G-08

hissə-hissə: 119547

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 380mV @ 1mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400-E3/45

hissə-hissə: 147279

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TR

hissə-hissə: 122116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/81

hissə-hissə: 87408

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/81

hissə-hissə: 87472

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu