Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

VI20120S-E3/4W

hissə-hissə: 115662

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.12V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20150SG-M3/4W

hissə-hissə: 132728

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM45-M3/I

hissə-hissə: 132877

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 670mV @ 35A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5DHE3_A/H

hissə-hissə: 108088

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-M3/73

hissə-hissə: 192855

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.28V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW10-M3/I

hissə-hissə: 90466

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 860mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2D-M3/5BT

hissə-hissə: 108742

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1090-M3/4W

hissə-hissə: 136969

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4B-M3/73

hissə-hissə: 149368

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 15ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5403-E3/73

hissə-hissə: 105942

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3K-M3/57T

hissə-hissə: 152647

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P5LHM3/84A

hissə-hissə: 188626

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 590mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1PJ-M3/84A

hissə-hissə: 119976

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5K-M3/57T

hissə-hissə: 102641

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120SG-E3/4W

hissə-hissə: 129527

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM15HM3/I

hissə-hissə: 170951

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.47V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100S-E3/4W

hissə-hissə: 112092

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DL45HM3_A/I

hissə-hissə: 60

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PGHM3/85A

hissə-hissə: 105580

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW12-M3/I

hissə-hissə: 172948

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL43-E3/9AT

hissə-hissə: 177658

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 420mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23-M3/5BT

hissə-hissə: 158112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S3AHE3_A/H

hissə-hissə: 109724

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3J-M3/9AT

hissə-hissə: 152673

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2M-M3/5BT

hissə-hissə: 151928

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB44-M3/52T

hissə-hissə: 120416

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3-M3/85A

hissə-hissə: 161170

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT5202-M3/4W

hissə-hissə: 142864

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-M3/57T

hissə-hissə: 172067

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2KHE3_A/I

hissə-hissə: 110692

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-M3/54

hissə-hissə: 126331

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT760-E3/4W

hissə-hissə: 187292

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3-M3/84A

hissə-hissə: 123570

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ100HM3/5BT

hissə-hissə: 171924

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30120SG-M3/4W

hissə-hissə: 105478

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.28V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150SG-E3/4W

hissə-hissə: 118256

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu