Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
1N4005GPEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPEHE3/53

hissə-hissə: 1941

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4005GPHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHM3/73

hissə-hissə: 1936

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4004GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GP-M3/73

hissə-hissə: 5247

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4004GPHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHM3/73

hissə-hissə: 1932

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4004GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-M3/73

hissə-hissə: 1927

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4004GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/91

hissə-hissə: 1899

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4004GPEHE3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/93

hissə-hissə: 1895

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4004GPE-E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/93

hissə-hissə: 130021

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4003GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GP-M3/73

hissə-hissə: 1879

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4002GPE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/91

hissə-hissə: 168244

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4002GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/91

hissə-hissə: 1920

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4001GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/91

hissə-hissə: 1917

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4001GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/73

hissə-hissə: 1879

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3611GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-M3/73

hissə-hissə: 1884

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4001GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHE3/54

hissə-hissə: 1939

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4148WSFL-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WSFL-G3-08

hissə-hissə: 1885

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1N4148WFL-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WFL-G3-08

hissə-hissə: 1855

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1N5626GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GP-E3/54

hissə-hissə: 1621

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
1N5620GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/73

hissə-hissə: 1693

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N5624GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GP-E3/54

hissə-hissə: 5181

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
1N5614GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GP-E3/54

hissə-hissə: 5214

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N5627GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/54

hissə-hissə: 1543

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
1N5625GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GP-E3/54

hissə-hissə: 1550

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 5µs,

Arzu
1N5622GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/54

hissə-hissə: 1606

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N5618GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GP-E3/54

hissə-hissə: 1547

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4448-A
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448-A

hissə-hissə: 1348

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1N4249GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GP-M3/54

hissə-hissə: 1322

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4001GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/54

hissə-hissə: 1314

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5627GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/73

hissə-hissə: 1303

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
1N4947GPHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHM3/73

hissə-hissə: 1277

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
1N4007GPHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHM3/73

hissə-hissə: 5206

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4007GPHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/53

hissə-hissə: 1279

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4003GPEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPEHE3/53

hissə-hissə: 1330

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
1N4942GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4942GPHE3/54

hissə-hissə: 1220

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
1N4937GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPHE3/54

hissə-hissə: 1159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu
1N4007GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/54

hissə-hissə: 1156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu