Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Diziler

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

hissə-hissə: 3642

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

hissə-hissə: 3654

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 740mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

hissə-hissə: 3668

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 740mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

hissə-hissə: 3686

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 460mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

hissə-hissə: 3599

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

hissə-hissə: 3616

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

hissə-hissə: 3587

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

hissə-hissə: 3557

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

hissə-hissə: 3588

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

hissə-hissə: 3592

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

hissə-hissə: 10437

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

hissə-hissə: 532

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1700V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 480A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

hissə-hissə: 3175

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 28A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

hissə-hissə: 3498

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

hissə-hissə: 3829

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

hissə-hissə: 3118

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.8V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

hissə-hissə: 2748

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

hissə-hissə: 1164

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

hissə-hissə: 3356

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

hissə-hissə: 3407

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

hissə-hissə: 2782

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

hissə-hissə: 739

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 50A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

hissə-hissə: 842

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 500A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 400A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

hissə-hissə: 2286

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 95A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

hissə-hissə: 179

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

hissə-hissə: 3191

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 28A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

hissə-hissə: 2464

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 53A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

hissə-hissə: 2442

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 53A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

hissə-hissə: 3266

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

hissə-hissə: 3220

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.1V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

hissə-hissə: 1994

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 93A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

hissə-hissə: 2375

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

hissə-hissə: 2278

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 95A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

hissə-hissə: 14745

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

hissə-hissə: 114940

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

hissə-hissə: 123192

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına