Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

APT2X101S20J

hissə-hissə: 2725

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

hissə-hissə: 20940

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

hissə-hissə: 1426

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

hissə-hissə: 11515

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

hissə-hissə: 1510

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

hissə-hissə: 4471

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

hissə-hissə: 4419

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

hissə-hissə: 7652

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 17A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

hissə-hissə: 647

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 60A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

hissə-hissə: 910

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 40A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

hissə-hissə: 4083

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 40A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

hissə-hissə: 4104

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 30A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

hissə-hissə: 4162

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 30A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

hissə-hissə: 1523

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

hissə-hissə: 4122

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 90A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 90A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

hissə-hissə: 3952

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 36A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

hissə-hissə: 2369

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

hissə-hissə: 952

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 40A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

hissə-hissə: 777

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 50A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

hissə-hissə: 3868

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.3V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

hissə-hissə: 3871

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

hissə-hissə: 3895

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

hissə-hissə: 3885

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

hissə-hissə: 4438

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3.3V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

hissə-hissə: 3858

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

hissə-hissə: 6132

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 4V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

hissə-hissə: 3860

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

hissə-hissə: 4074

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

hissə-hissə: 3544

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

hissə-hissə: 3886

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

hissə-hissə: 4128

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

hissə-hissə: 4064

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

hissə-hissə: 3857

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

hissə-hissə: 2926

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

hissə-hissə: 143494

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

hissə-hissə: 4514

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına