Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

RB088NS100FHTL

hissə-hissə: 75

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 870mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

UMR12NTN

hissə-hissə: 104990

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

hissə-hissə: 112

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

hissə-hissə: 86

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

hissə-hissə: 173

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 990mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

hissə-hissə: 90

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

hissə-hissə: 82

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

hissə-hissə: 114

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

hissə-hissə: 85

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

hissə-hissə: 168

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

hissə-hissə: 126

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

hissə-hissə: 113

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

hissə-hissə: 163

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

hissə-hissə: 83

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

hissə-hissə: 125

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

hissə-hissə: 93

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 970mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

hissə-hissə: 152

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

hissə-hissə: 123

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Microsemi Corporation

FST30100

hissə-hissə: 15979

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

hissə-hissə: 67559

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

hissə-hissə: 72578

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

hissə-hissə: 86952

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

hissə-hissə: 52467

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

hissə-hissə: 49342

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

hissə-hissə: 72585

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

hissə-hissə: 15163

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

hissə-hissə: 113089

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Comchip Technology

MBR2050CT-G

hissə-hissə: 114599

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Comchip Technology

CDBT-40S-G

hissə-hissə: 190055

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Comchip Technology

CDBD2040-G

hissə-hissə: 111181

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

hissə-hissə: 78

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

hissə-hissə: 99761

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 770mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

hissə-hissə: 151

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

hissə-hissə: 111

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

hissə-hissə: 99

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

hissə-hissə: 108903

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına