Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Diziler

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

hissə-hissə: 128271

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

hissə-hissə: 60706

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 480mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

hissə-hissə: 149065

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

hissə-hissə: 83931

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

hissə-hissə: 88987

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

hissə-hissə: 188540

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

hissə-hissə: 11025

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

hissə-hissə: 17070

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

hissə-hissə: 57459

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

hissə-hissə: 186416

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 540mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

hissə-hissə: 12874

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 540mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

hissə-hissə: 131

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

hissə-hissə: 151

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

hissə-hissə: 107

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

hissə-hissə: 138

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

hissə-hissə: 115

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

hissə-hissə: 119

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

hissə-hissə: 160

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 820mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

hissə-hissə: 128

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

hissə-hissə: 93

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

hissə-hissə: 164

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

hissə-hissə: 94

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

hissə-hissə: 98

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

hissə-hissə: 94

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

hissə-hissə: 142

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

hissə-hissə: 88

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 930mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

hissə-hissə: 141

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

hissə-hissə: 127

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

hissə-hissə: 101

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 545mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

hissə-hissə: 111182

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

hissə-hissə: 118616

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

hissə-hissə: 79

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 18A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io),

İstək siyahısına
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

hissə-hissə: 176834

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

hissə-hissə: 177494

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

hissə-hissə: 92

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

hissə-hissə: 110897

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına