Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Diziler

DA204UT106
Rohm Semiconductor

DA204UT106

hissə-hissə: 149142

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
RB541XNTR
Rohm Semiconductor

RB541XNTR

hissə-hissə: 104121

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
DAN222MFHT2L
Rohm Semiconductor

DAN222MFHT2L

hissə-hissə: 77

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
RB085BGE-40TL
Rohm Semiconductor

RB085BGE-40TL

hissə-hissə: 79

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
RRE04EA6DFHTR
Rohm Semiconductor

RRE04EA6DFHTR

hissə-hissə: 156

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR3035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035PTHC0G

hissə-hissə: 132

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 820mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150HC0G

hissə-hissə: 129

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1605G C0G

hissə-hissə: 75

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS1035CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1035CTHMNG

hissə-hissə: 173

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR60100PT C0G

hissə-hissə: 144

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR1690PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690PT C0G

hissə-hissə: 165

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
HERF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1603G C0G

hissə-hissə: 111

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS1030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1030HMNG

hissə-hissə: 130

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR3050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CTHC0G

hissə-hissə: 131

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 770mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100CTHC0G

hissə-hissə: 164

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR2560CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2560CT C0G

hissə-hissə: 153

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRS1545CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1545CT MNG

hissə-hissə: 130

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF2045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045CTHC0G

hissə-hissə: 127

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-4CSH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02HM3/87A

hissə-hissə: 149715

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-12CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRRHM3

hissə-hissə: 62699

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-6CWQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FN-M3

hissə-hissə: 195911

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF2560CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2560CT/45

hissə-hissə: 70124

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SS10P2CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CLHM3_A/H

hissə-hissə: 176123

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-8CSH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01HM3/87A

hissə-hissə: 103157

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-12CWQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTR-M3

hissə-hissə: 187431

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-32CTQ025STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRRHM3

hissə-hissə: 52424

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 25V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/87A

hissə-hissə: 143729

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-8CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01-M3/87A

hissə-hissə: 102185

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-MBR2035CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2035CTHN3

hissə-hissə: 87705

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-12CWQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ06FNHM3

hissə-hissə: 64470

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 790mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MSRT150140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

hissə-hissə: 1876

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MSRTA400160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

hissə-hissə: 1213

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MSRTA500140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

hissə-hissə: 729

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 500A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MMBD2004SW-7-F
Diodes Incorporated

MMBD2004SW-7-F

hissə-hissə: 154271

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 240V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 225mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
DB5S309K0R
Panasonic Electronic Components

DB5S309K0R

hissə-hissə: 199242

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
TRS12N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

hissə-hissə: 12490

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına