Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Diziler

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

hissə-hissə: 85835

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

hissə-hissə: 40430

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

hissə-hissə: 91136

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

hissə-hissə: 52402

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 25V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

hissə-hissə: 159302

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

hissə-hissə: 186384

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

hissə-hissə: 52472

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

hissə-hissə: 63269

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 25V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

hissə-hissə: 180307

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

hissə-hissə: 169876

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

hissə-hissə: 1374

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 250A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 250A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

hissə-hissə: 665

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

hissə-hissə: 149

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

hissə-hissə: 160

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

hissə-hissə: 130

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

hissə-hissə: 73

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

hissə-hissə: 106

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

hissə-hissə: 156

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

hissə-hissə: 104

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

hissə-hissə: 130

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

hissə-hissə: 78

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

hissə-hissə: 119

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

hissə-hissə: 96

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

hissə-hissə: 107

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

hissə-hissə: 128

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

hissə-hissə: 79

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

hissə-hissə: 145

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 820mV @ 12.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

hissə-hissə: 106

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

hissə-hissə: 94309

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

hissə-hissə: 51763

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

hissə-hissə: 146

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

hissə-hissə: 101509

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

hissə-hissə: 156683

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 70mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

hissə-hissə: 124599

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

hissə-hissə: 119712

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

hissə-hissə: 80

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına