Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu

BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

hissə-hissə: 1955

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

hissə-hissə: 1981

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

hissə-hissə: 1986

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

hissə-hissə: 2004

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

hissə-hissə: 1907

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

hissə-hissə: 3211

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 148W H6433
Infineon Technologies

BCR 148W H6433

hissə-hissə: 1910

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 569 E6327
Infineon Technologies

BCR 569 E6327

hissə-hissə: 1861

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 512 B6327
Infineon Technologies

BCR 512 B6327

hissə-hissə: 1858

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 199T E6327
Infineon Technologies

BCR 199T E6327

hissə-hissə: 1876

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 503 B6327
Infineon Technologies

BCR 503 B6327

hissə-hissə: 1882

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 199F E6327
Infineon Technologies

BCR 199F E6327

hissə-hissə: 1910

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

hissə-hissə: 1899

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

hissə-hissə: 1924

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 198F E6327
Infineon Technologies

BCR 198F E6327

hissə-hissə: 1931

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

hissə-hissə: 1885

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

hissə-hissə: 1922

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

hissə-hissə: 1860

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 196T E6327
Infineon Technologies

BCR 196T E6327

hissə-hissə: 1855

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 196F E6327
Infineon Technologies

BCR 196F E6327

hissə-hissə: 1930

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

hissə-hissə: 1883

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

hissə-hissə: 1884

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

hissə-hissə: 1842

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

hissə-hissə: 1916

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

hissə-hissə: 1847

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

hissə-hissə: 1847

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

hissə-hissə: 3227

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

hissə-hissə: 1904

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

hissə-hissə: 1869

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

hissə-hissə: 1877

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

hissə-hissə: 1883

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

hissə-hissə: 1898

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

hissə-hissə: 3268

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

hissə-hissə: 1845

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

hissə-hissə: 1848

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

hissə-hissə: 1892

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına