Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler, &Ouml;nc&

UMF21NTR

hissə-hissə: 181499

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 12V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

İstək siyahısına

IMD14T108

hissə-hissə: 107296

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 220 Ohms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

IMD1AT108

hissə-hissə: 144421

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

EMF21T2R

hissə-hissə: 179260

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 12V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

İstək siyahısına

EMF22T2R

hissə-hissə: 1487

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 12V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

İstək siyahısına

EMH9FHAT2R

hissə-hissə: 21662

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

FMG9AT248

hissə-hissə: 1454

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DCX143TU-7

hissə-hissə: 1400

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

DDA143TH-7

hissə-hissə: 180736

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

DDC114EU-7

hissə-hissə: 1456

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DDC143ZU-7-F

hissə-hissə: 187836

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

DDA123JH-7

hissə-hissə: 118010

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

DCX4710H-7

hissə-hissə: 153117

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

NSVMUN531335DW1T1G

hissə-hissə: 161762

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSVMUN5212DW1T1G

hissə-hissə: 111873

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSTB60BDW1T1G

hissə-hissə: 116194

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSBC113EPDXV6T1G

hissə-hissə: 191549

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSBA143ZDXV6T1G

hissə-hissə: 13232

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSBC143ZPDXV6T5G

hissə-hissə: 1414

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

SMUN5335DW1T2G

hissə-hissə: 183726

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

MUN5232DW1T1G

hissə-hissə: 132657

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

MUN5116DW1T1

hissə-hissə: 3233

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

DMC264040R

hissə-hissə: 141479

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

DMA261000R

hissə-hissə: 148621

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

DMA9640T0R

hissə-hissə: 175874

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

UP0339600L

hissə-hissə: 1437

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

XP0111500L

hissə-hissə: 1428

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

RN1963(TE85L,F)

hissə-hissə: 101550

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF

hissə-hissə: 1472

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

hissə-hissə: 148274

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PUMB11,115

hissə-hissə: 183088

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PEMB11,115

hissə-hissə: 160190

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PBLS4005D,115

hissə-hissə: 151505

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 700mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 40V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

PBLS4004D,115

hissə-hissə: 177865

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 700mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 40V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına