Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler, Önc& | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 42

RN2709JE(TE85L,F)

hissə-hissə: 180658

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2604(TE85L,F)

hissə-hissə: 165277

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902FE,LF(CT

hissə-hissə: 121303

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901(T5L,F,T)

hissə-hissə: 1552

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE,LF(CT

hissə-hissə: 196360

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965(TE85L,F)

hissə-hissə: 9983

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963FE(TE85L,F)

hissə-hissə: 1435

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PBLS6001D,115

hissə-hissə: 153332

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 700mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 60V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMH9,165

hissə-hissə: 136378

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMB1,135

hissə-hissə: 184667

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMD6/ZLX

hissə-hissə: 1479

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMD10,115

hissə-hissə: 176387

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMH10,125

hissə-hissə: 139152

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G

hissə-hissə: 51685

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

hissə-hissə: 3224

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

EMF5XV6T5

hissə-hissə: 5392

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 12V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1G

hissə-hissə: 150122

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G

hissə-hissə: 158612

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

hissə-hissə: 118474

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XP0621300L

hissə-hissə: 131306

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XN04A8800L

hissə-hissə: 1476

Transistor növü: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

UP04113G0L

hissə-hissə: 1404

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

DMA5640M0R

hissə-hissə: 148059

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

DMA264010R

hissə-hissə: 199994

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

UP0421100L

hissə-hissə: 1444

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XN0411100L

hissə-hissə: 1396

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XN0431400L

hissə-hissə: 1480

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XP0421200L

hissə-hissə: 1468

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

XP0331100L

hissə-hissə: 1445

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

DDC123JH-7

hissə-hissə: 186448

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

DCX123JH-7

hissə-hissə: 128905

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

DCX142JU-7-F

hissə-hissə: 195388

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 470 Ohms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

UMG4N-7

hissə-hissə: 197132

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

EMA11T2R

hissə-hissə: 175669

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

UMD3NTR

hissə-hissə: 185071

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

UMH9NTN

hissə-hissə: 156300

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına