Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Zener - Subay

1N4752AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHA0G

hissə-hissə: 207

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 25.1V,

İstək siyahısına
1N4756AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHA0G

hissə-hissə: 161

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1N4755AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHB0G

hissə-hissə: 170

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 32.7V,

İstək siyahısına
1N4746A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A B0G

hissə-hissə: 132

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 35 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 13.7V,

İstək siyahısına
1N4759A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A A0G

hissə-hissə: 169

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 125 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 47.1V,

İstək siyahısına
1N4742A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742A B0G

hissə-hissə: 132

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 18.2V,

İstək siyahısına
1N4757A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757A A0G

hissə-hissə: 143

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 51V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 38.8V,

İstək siyahısına
1N4758A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A B0G

hissə-hissə: 178

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 56V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 110 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 42.6V,

İstək siyahısına
1N4744A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A A0G

hissə-hissə: 194

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına
1N4749A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A R1G

hissə-hissə: 209

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 18.2V,

İstək siyahısına
1N4745A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A B0G

hissə-hissə: 192

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 16V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 16 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 12.2V,

İstək siyahısına
1N4760AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHA0G

hissə-hissə: 128

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 68V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 150 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 51.7V,

İstək siyahısına
1N4753AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHA0G

hissə-hissə: 119

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 36V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 50 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 27.4V,

İstək siyahısına
1M130ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHB0G

hissə-hissə: 191

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 130V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 700 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 98.8V,

İstək siyahısına
1M110Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z R1G

hissə-hissə: 179

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 110V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 450 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 83.6V,

İstək siyahısına
1N4744A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A B0G

hissə-hissə: 214

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına
1N4746AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHB0G

hissə-hissə: 160

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 13.7V,

İstək siyahısına
1N4752AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHB0G

hissə-hissə: 151

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 25.1V,

İstək siyahısına
1N4749AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHB0G

hissə-hissə: 199

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 18.2V,

İstək siyahısına
1N4751A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A B0G

hissə-hissə: 187

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 40 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 22.8V,

İstək siyahısına
1N4755AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHA0G

hissə-hissə: 134

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 32.7V,

İstək siyahısına
1N4747A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A B0G

hissə-hissə: 196

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 15.2V,

İstək siyahısına
1M130Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z A0G

hissə-hissə: 178

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 130V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 700 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 98.8V,

İstək siyahısına
1M120ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHA0G

hissə-hissə: 137

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 120V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 550 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 91.2V,

İstək siyahısına
1N4755A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A R1G

hissə-hissə: 137

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 32.7V,

İstək siyahısına
1N4748A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748A A0G

hissə-hissə: 176

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 23 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 16.7V,

İstək siyahısına
1N4741A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A A0G

hissə-hissə: 173

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına
1N4760A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R1G

hissə-hissə: 192

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 68V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 150 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 51.7V,

İstək siyahısına
1M180Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180Z A0G

hissə-hissə: 157

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 180V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 1200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 136.8V,

İstək siyahısına
1N4745A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A R1G

hissə-hissə: 213

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 16V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 12.2V,

İstək siyahısına
1N4762A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A A0G

hissə-hissə: 165

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 82V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 62.2V,

İstək siyahısına
1N4754A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A B0G

hissə-hissə: 193

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 29.7V,

İstək siyahısına
1N4757A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757A B0G

hissə-hissə: 146

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 51V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 38.8V,

İstək siyahısına
1N4742AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742AHR1G

hissə-hissə: 129

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 25.1V,

İstək siyahısına
1M130ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHA0G

hissə-hissə: 124

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 130V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 700 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 98.8V,

İstək siyahısına
1N5384BRLG
ON Semiconductor

1N5384BRLG

hissə-hissə: 169197

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 160V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 350 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 122V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına