Diodlar - Zener - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

1N4741AHA0G

hissə-hissə: 156

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 13.7V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A B0G

hissə-hissə: 194

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 27V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 35 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 20.6V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A B0G

hissə-hissə: 165

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 7 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 7.6V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A R1G

hissə-hissə: 154

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 82V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 62.2V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHA0G

hissə-hissə: 203

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 75V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 175 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 56V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHR1G

hissə-hissə: 122

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 9 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 9.1V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A A0G

hissə-hissə: 212

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 29.7V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHB0G

hissə-hissə: 123

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 200V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 1500 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 152V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR1G

hissə-hissə: 175

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 100V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 350 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 76V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR1G

hissə-hissə: 177

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 38.8V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A A0G

hissə-hissə: 146

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 35.8V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHA0G

hissə-hissə: 208

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 100V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 350 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 76V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A A0G

hissə-hissə: 150

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 40 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 22.8V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHB0G

hissə-hissə: 138

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 125 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 47.1V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHB0G

hissə-hissə: 204

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR1G

hissə-hissə: 188

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A B0G

hissə-hissə: 184

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 11.4V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A B0G

hissə-hissə: 130

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 32.7V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R1G

hissə-hissə: 125

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 125 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 47.1V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z R1G

hissə-hissə: 152

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 130V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 700 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 98.8V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHB0G

hissə-hissə: 191

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 75V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 175 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 56V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R1G

hissə-hissə: 187

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 7 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 7.6V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R1G

hissə-hissə: 150

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 100V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 350 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 76V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R1G

hissə-hissə: 152

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 29.7V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1M150ZHA0G

hissə-hissə: 119

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 150V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 1000 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 114V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A A0G

hissə-hissə: 141

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 56V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 110 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 42.6V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR1G

hissə-hissə: 200

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 125 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 47.1V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A B0G

hissə-hissə: 153

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 91V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 250 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 69.2V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HR3G

hissə-hissə: 194

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.25W, Empedans (Maks) (Zzt): 4.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 6V,

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HM2G

hissə-hissə: 201

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.25W, Empedans (Maks) (Zzt): 7 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 7.6V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4960

hissə-hissə: 10018

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 2.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 9.1V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4474

hissə-hissə: 12165

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 16 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 50nA @ 19.2V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4463

hissə-hissə: 8572

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 4.92V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4984

hissə-hissə: 9889

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 120V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 170 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 2µA @ 91.2V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4490US

hissə-hissə: 9486

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 110V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 300 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 250nA @ 88V,

İstək siyahısına

Semtech Corporation

1N4957US

hissə-hissə: 8928

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Dözümlülük: ±4.95%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 2 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 25µA @ 6.9V,

İstək siyahısına