Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

123SPC100A
SMC Diode Solutions

123SPC100A

hissə-hissə: 5751

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 870mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5395G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G A0G

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5393GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHB0G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5391GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHB0G

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5817 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 A0G

hissə-hissə: 202

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5393G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G A0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5822 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 A0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 525mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5393GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHA0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4936GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHA0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N5392G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G B0G

hissə-hissə: 110

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5392GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHB0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5820 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 A0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 475mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5391G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G B0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5395GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHB0G

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4936G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G A0G

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1SS400 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RSG

hissə-hissə: 193

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

İstək siyahısına
1N5395GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHA0G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5395G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G B0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5407GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHR0G

hissə-hissə: 179

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5408GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHR0G

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1SS388-TP
Micro Commercial Co

1SS388-TP

hissə-hissə: 174424

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
1N5806C.TR
Semtech Corporation

1N5806C.TR

hissə-hissə: 20098

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

İstək siyahısına
1N5811
Semtech Corporation

1N5811

hissə-hissə: 7879

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
1N5809US.TR
Semtech Corporation

1N5809US.TR

hissə-hissə: 4804

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
1N5807US
Semtech Corporation

1N5807US

hissə-hissə: 4904

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

hissə-hissə: 201

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

hissə-hissə: 122602

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 300mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5402-B
Diodes Incorporated

1N5402-B

hissə-hissə: 174392

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6628US
Microsemi Corporation

1N6628US

hissə-hissə: 3334

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 660V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.75A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
1N4004E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004E-E3/54

hissə-hissə: 125407

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5397-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397-E3/73

hissə-hissə: 117354

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4001E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001E-E3/73

hissə-hissə: 173133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5394-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5394-E3/54

hissə-hissə: 111965

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4003E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003E-E3/53

hissə-hissə: 125732

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4937E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937E-E3/54

hissə-hissə: 163591

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N5399-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399-E3/73

hissə-hissə: 135376

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına