Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

1N5397-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397-E3/54

hissə-hissə: 147448

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5393-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393-E3/73

hissə-hissə: 193566

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4936-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936-E3/73

hissə-hissə: 101431

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4004E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004E-E3/53

hissə-hissə: 193977

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4002E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002E-E3/53

hissə-hissə: 143911

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4936-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936-E3/54

hissə-hissə: 112560

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N5391-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391-E3/54

hissə-hissə: 193597

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5392-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5392-E3/73

hissə-hissə: 155547

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5393-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393-E3/54

hissə-hissə: 194944

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4003E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003E-E3/54

hissə-hissə: 184559

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4005E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005E-E3/73

hissə-hissə: 171349

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4933-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933-E3/73

hissə-hissə: 180622

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N5391-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391-E3/73

hissə-hissə: 195208

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4006-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006-E3/53

hissə-hissə: 124354

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4005E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005E-E3/54

hissə-hissə: 120866

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4003-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003-E3/53

hissə-hissə: 185342

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4002E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002E-E3/73

hissə-hissə: 198381

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4001E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001E-E3/54

hissə-hissə: 164948

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5395-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395-E3/73

hissə-hissə: 126201

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N1184A
GeneSiC Semiconductor

1N1184A

hissə-hissə: 11180

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5402GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHR0G

hissə-hissə: 186

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5393GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHR0G

hissə-hissə: 200

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5406GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHR0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5391G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G R0G

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5391GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHR0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5392G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G R0G

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5397GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHR0G

hissə-hissə: 186

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5399G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G R0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5400GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHR0G

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5393G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G R0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5398GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHR0G

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5392GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHR0G

hissə-hissə: 134

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5404GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHR0G

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5397G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G R0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5395G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G R0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N5401GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHR0G

hissə-hissə: 202

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına