Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

2A01-TP
Micro Commercial Co

2A01-TP

hissə-hissə: 9446

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40V, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

hissə-hissə: 1468

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 330A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.22V @ 942A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

hissə-hissə: 107592

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

hissə-hissə: 111138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

hissə-hissə: 170598

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

hissə-hissə: 162083

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

hissə-hissə: 119879

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

hissə-hissə: 151354

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

hissə-hissə: 146657

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

İstək siyahısına
30BQ015TR
SMC Diode Solutions

30BQ015TR

hissə-hissə: 104520

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 350mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30WQ20FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ20FNTR

hissə-hissə: 180665

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30WQ03FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ03FNTR

hissə-hissə: 186601

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30BQ150TR
SMC Diode Solutions

30BQ150TR

hissə-hissə: 132078

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 860mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30BQ200TR
SMC Diode Solutions

30BQ200TR

hissə-hissə: 126042

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30WQ15FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ15FNTR

hissə-hissə: 184192

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 830mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
30WQ04FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ04FNTR

hissə-hissə: 198114

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 B0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HA0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

hissə-hissə: 176

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

hissə-hissə: 186

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

hissə-hissə: 206

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

hissə-hissə: 139

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

hissə-hissə: 198

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

hissə-hissə: 195

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

İstək siyahısına
3SM8
Semtech Corporation

3SM8

hissə-hissə: 3384

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
3SM0
Semtech Corporation

3SM0

hissə-hissə: 3037

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına