Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

2A01G-T
Diodes Incorporated

2A01G-T

hissə-hissə: 5079

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
2A03-T
Diodes Incorporated

2A03-T

hissə-hissə: 426

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
2A06G-T
Diodes Incorporated

2A06G-T

hissə-hissə: 291

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045S

hissə-hissə: 421

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15TS

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 410mV @ 19A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
249NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

249NQ135

hissə-hissə: 199

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 135V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20BQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030TR

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRR

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRL

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRR

hissə-hissə: 176

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRL

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRL

hissə-hissə: 178

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRR

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRR

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRL

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

İstək siyahısına
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRR

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

İstək siyahısına
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10FP

hissə-hissə: 113

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

İstək siyahısına
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRR

hissə-hissə: 151

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

İstək siyahısına
20ETF08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRL

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.31V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

İstək siyahısına
20ETF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRR

hissə-hissə: 5074

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

İstək siyahısına
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRL

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

İstək siyahısına
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRR

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

İstək siyahısına
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04STRL

hissə-hissə: 5088

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

İstək siyahısına
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRL

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 160ns,

İstək siyahısına
200HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR80PV

hissə-hissə: 90

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 628A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR120PV

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 628A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR40PV

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 628A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15T

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 15V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 410mV @ 19A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
243NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100R

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 860mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
243NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 860mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
243NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ080

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 860mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
242NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030R

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
242NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 690mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045R

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 240A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 690mV @ 240A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına