Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

İstək siyahısına
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

hissə-hissə: 5547

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

hissə-hissə: 197

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

hissə-hissə: 5071

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

İstək siyahısına
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

İstək siyahısına
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

hissə-hissə: 182

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

hissə-hissə: 5075

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

hissə-hissə: 119

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.17V @ 80A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.17V @ 80A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 480ns,

İstək siyahısına
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

hissə-hissə: 66

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 480ns,

İstək siyahısına
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

hissə-hissə: 72

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 190ns,

İstək siyahısına
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 190ns,

İstək siyahısına
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 190ns,

İstək siyahısına
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

hissə-hissə: 68

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

İstək siyahısına
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

hissə-hissə: 20

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

İstək siyahısına
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

hissə-hissə: 10015

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

hissə-hissə: 9992

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

hissə-hissə: 10041

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

hissə-hissə: 5059

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

hissə-hissə: 10060

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

hissə-hissə: 10034

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

İstək siyahısına