Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

6A60G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G B0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A100G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G R0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G R0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A40GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHB0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHA0G

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A05G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G A0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A05G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G B0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G A0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A40GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHA0G

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A10G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G A0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G R0G

hissə-hissə: 89

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A80G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G B0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A100GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHB0G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A60G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G A0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A05GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHB0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHB0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A80G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G R0G

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHR0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A40G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G B0G

hissə-hissə: 113

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A100G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G A0G

hissə-hissə: 85

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHR0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G B0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A05GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHR0G

hissə-hissə: 93

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A100GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHA0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A80GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHA0G

hissə-hissə: 84

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A80GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHR0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A80G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G A0G

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S6-TP
Micro Commercial Co

60S6-TP

hissə-hissə: 178962

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A05-TP
Micro Commercial Co

6A05-TP

hissə-hissə: 173757

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S10-TP
Micro Commercial Co

60S10-TP

hissə-hissə: 111553

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S8-TP
Micro Commercial Co

60S8-TP

hissə-hissə: 101486

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S2-TP
Micro Commercial Co

60S2-TP

hissə-hissə: 109534

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S05-TP
Micro Commercial Co

60S05-TP

hissə-hissə: 113691

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
6A8-TP
Micro Commercial Co

6A8-TP

hissə-hissə: 199351

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
60S4-TP
Micro Commercial Co

60S4-TP

hissə-hissə: 169154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

66PQ040

hissə-hissə: 22499

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına