Diodlar - Düzəldicilər - Tək

IRD3CH31DD6

hissə-hissə: 2359

D770N14TXPSA1

hissə-hissə: 2110

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 770A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

hissə-hissə: 46154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

hissə-hissə: 47923

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 28A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

hissə-hissə: 18927

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

hissə-hissə: 2033

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 770A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

hissə-hissə: 2267

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1050A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1000A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

hissə-hissə: 67894

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

hissə-hissə: 2099

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 770A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

hissə-hissə: 2264

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 820A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 750A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

hissə-hissə: 13098

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

hissə-hissə: 8281

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

hissə-hissə: 59599

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

hissə-hissə: 12018

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

hissə-hissə: 4502

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 56A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

hissə-hissə: 1555

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

hissə-hissə: 26323

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

hissə-hissə: 1624

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

hissə-hissə: 1668

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 30A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

hissə-hissə: 1640

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

hissə-hissə: 1490

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 28A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

IDP09E120

hissə-hissə: 1554

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 23A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 9A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

hissə-hissə: 1630

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

hissə-hissə: 1521

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 41A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 23A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

hissə-hissə: 1478

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDB15E60

hissə-hissə: 1514

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 29.2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

hissə-hissə: 1609

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

hissə-hissə: 1514

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

hissə-hissə: 5259

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 16A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDP06E60

hissə-hissə: 1466

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 14.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

hissə-hissə: 1682

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

hissə-hissə: 1500

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 71A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 45A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

hissə-hissə: 1666

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

hissə-hissə: 1642

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 9A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 9A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

hissə-hissə: 15125

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 24A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDV30E60C

hissə-hissə: 5572

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 21A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.05V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 130ns,