Diodlar - Düzəldicilər - Tək

IDC05S60CEX1SA1

hissə-hissə: 2377

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

hissə-hissə: 5266

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2371

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 9A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 9A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

hissə-hissə: 2399

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

hissə-hissə: 2331

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

hissə-hissə: 34878

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.15V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

hissə-hissə: 2626

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

hissə-hissə: 2341

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

hissə-hissə: 2382

IDK12G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2311

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

hissə-hissə: 2434

IDL04G65C5XUMA1

hissə-hissə: 2353

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

hissə-hissə: 1516

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 75A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2335

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

hissə-hissə: 2342

IDW40G65C5XKSA1

hissə-hissə: 4319

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 40A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

hissə-hissə: 2440

IDW15S120FKSA1

hissə-hissə: 2436

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 15A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

hissə-hissə: 2289

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

hissə-hissə: 2299

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1050A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1000A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

hissə-hissə: 12700

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 27A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

hissə-hissə: 5258

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

hissə-hissə: 2367

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

hissə-hissə: 5312

IDW15E65D2FKSA1

hissə-hissə: 41876

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

hissə-hissə: 2322

D1050N16TXPSA1

hissə-hissə: 2266

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1050A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1000A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

hissə-hissə: 8465

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 41A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

hissə-hissə: 5317

IRD3CH16DF6

hissə-hissə: 2362

IDW10G65C5XKSA1

hissə-hissə: 12731

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

hissə-hissə: 2365

IDK10G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2337

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

hissə-hissə: 6043

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.95V @ 16A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

hissə-hissə: 2321

IRD3CH42DF6

hissə-hissə: 2347