Diodlar - Düzəldicilər - Tək

D2700U45X122XOSA1

hissə-hissə: 287

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 4500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2900A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

hissə-hissə: 324

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 9000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1790A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 5.5V @ 4000A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

hissə-hissə: 307

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 4500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2380A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 2500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

hissə-hissə: 304

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 8500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3040A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

hissə-hissə: 5330

IDP45E60XKSA1

hissə-hissə: 38822

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 71A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 45A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

hissə-hissə: 34916

IDK04G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2364

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

hissə-hissə: 2397

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

hissə-hissə: 9090

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 16A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

hissə-hissə: 2378

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

hissə-hissə: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

hissə-hissə: 1902

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 42A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.1V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

hissə-hissə: 2407

IRD3CH101DD6

hissə-hissə: 2319

IDW40E65D2FKSA1

hissə-hissə: 30469

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

hissə-hissə: 2356

IRD3CH16DB6

hissə-hissə: 2357

IRD3CH5BD6

hissə-hissə: 5238

IDC08S60CEX1SA3

hissə-hissə: 2424

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

hissə-hissə: 10387

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.95V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2297

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

hissə-hissə: 7574

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

hissə-hissə: 2364

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

hissə-hissə: 2327

IDB10S60CATMA2

hissə-hissə: 5332

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

hissə-hissə: 2339

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 75A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 75A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

hissə-hissə: 2324

IRD3CH11DB6

hissə-hissə: 2369

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2324

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

hissə-hissə: 5234

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

hissə-hissə: 68501

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

hissə-hissə: 2296

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

hissə-hissə: 2355

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2298

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

hissə-hissə: 2285

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,