Diodlar - Düzəldicilər - Tək

IDH08G65C5XKSA2

hissə-hissə: 17096

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

hissə-hissə: 51817

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

hissə-hissə: 194

IDH04G65C6XKSA1

hissə-hissə: 31780

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

hissə-hissə: 166

IDH03G65C5XKSA2

hissə-hissə: 38597

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

hissə-hissə: 62465

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

hissə-hissə: 207

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

hissə-hissə: 216

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

hissə-hissə: 219

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

hissə-hissə: 141

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

hissə-hissə: 217

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

hissə-hissə: 78467

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

hissə-hissə: 217

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

hissə-hissə: 197

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

hissə-hissə: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

hissə-hissə: 222

IDW30G65C5XKSA1

hissə-hissə: 5618

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 30A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

hissə-hissə: 8231

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

hissə-hissə: 13701

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

hissə-hissə: 28769

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 9A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 9A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

hissə-hissə: 9329

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

hissə-hissə: 133

IDL04G65C5XUMA2

hissə-hissə: 178

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

hissə-hissə: 7363

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

hissə-hissə: 4935

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

hissə-hissə: 202

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 3A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

hissə-hissə: 9608

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 16A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

hissə-hissə: 25253

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

hissə-hissə: 46102

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 64ns,

IDP1301GXUMA1

hissə-hissə: 50176

D911SH45T

hissə-hissə: 250

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 4500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1140A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 6V @ 2500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),