Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 18

R6015FNX

hissə-hissə: 11226

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RCX510N25

hissə-hissə: 15729

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 51A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

hissə-hissə: 75363

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

hissə-hissə: 15479

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

hissə-hissə: 7128

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 39A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

hissə-hissə: 2547

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

hissə-hissə: 6288

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

hissə-hissə: 2854

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 55A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU7TB

hissə-hissə: 135899

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1E090RPTR

hissə-hissə: 2073

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RCD080N25TL

hissə-hissə: 99109

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT2H12NYTB

hissə-hissə: 18112

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT3030ALGC11

hissə-hissə: 3030

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

Arzu

Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

hissə-hissə: 156482

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RAQ045P01TCR

hissə-hissə: 1902

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RS1E200GNTB

hissə-hissə: 196672

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSS065N06FRATB

hissə-hissə: 10801

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RMW130N03TB

hissə-hissə: 190282

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

hissə-hissə: 116058

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

hissə-hissə: 1429

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1E070XNTCR

hissə-hissə: 1473

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1E100XNTR

hissə-hissə: 6211

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1E075RPTR

hissə-hissə: 1446

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

hissə-hissə: 122522

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

hissə-hissə: 197099

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

hissə-hissə: 102535

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 22A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

hissə-hissə: 1473

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

hissə-hissə: 183103

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RND030N20TL

hissə-hissə: 172245

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

hissə-hissə: 68225

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

hissə-hissə: 1481

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 45V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

hissə-hissə: 76158

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

hissə-hissə: 101180

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

hissə-hissə: 10823

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

hissə-hissə: 189450

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 28A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

hissə-hissə: 7564

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 22A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

Arzu