Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
RR2L4SDDTE25
Rohm Semiconductor

RR2L4SDDTE25

hissə-hissə: 192989

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB055L-60DDTE25
Rohm Semiconductor

RB055L-60DDTE25

hissə-hissə: 169765

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB068L100DDTE25
Rohm Semiconductor

RB068L100DDTE25

hissə-hissə: 159622

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 790mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RF101A2ST-32
Rohm Semiconductor

RF101A2ST-32

hissə-hissə: 1457

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 870mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
RBR1L30ATE25
Rohm Semiconductor

RBR1L30ATE25

hissə-hissə: 182582

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 480mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB441Q-40T-72
Rohm Semiconductor

RB441Q-40T-72

hissə-hissə: 1690

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
RB160A30T-32
Rohm Semiconductor

RB160A30T-32

hissə-hissə: 1470

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 480mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RBR3L40ATE25
Rohm Semiconductor

RBR3L40ATE25

hissə-hissə: 107248

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 690mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RLR4004TE-21
Rohm Semiconductor

RLR4004TE-21

hissə-hissə: 1519

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 800mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SCS120AGC
Rohm Semiconductor

SCS120AGC

hissə-hissə: 3537

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RB075B40STL
Rohm Semiconductor

RB075B40STL

hissə-hissə: 1500

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RF301B2STL
Rohm Semiconductor

RF301B2STL

hissə-hissə: 1665

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 930mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
RR601B4STL
Rohm Semiconductor

RR601B4STL

hissə-hissə: 1521

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
SCS304APC9
Rohm Semiconductor

SCS304APC9

hissə-hissə: 29489

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 4A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RB068L-60DDTE25
Rohm Semiconductor

RB068L-60DDTE25

hissə-hissə: 107512

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SCS215AMC
Rohm Semiconductor

SCS215AMC

hissə-hissə: 10352

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.55V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RBR3L30BTE25
Rohm Semiconductor

RBR3L30BTE25

hissə-hissə: 164633

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB521S-30FTE61
Rohm Semiconductor

RB521S-30FTE61

hissə-hissə: 5227

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
RF305B6STL
Rohm Semiconductor

RF305B6STL

hissə-hissə: 1512

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SCS108AGC
Rohm Semiconductor

SCS108AGC

hissə-hissə: 10897

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RB520S-30FTE61
Rohm Semiconductor

RB520S-30FTE61

hissə-hissə: 5168

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
RB050L-40DDTE25
Rohm Semiconductor

RB050L-40DDTE25

hissə-hissə: 113229

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB058L-40DDTE25
Rohm Semiconductor

RB058L-40DDTE25

hissə-hissə: 177912

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB151L-40TE25
Rohm Semiconductor

RB151L-40TE25

hissə-hissə: 1494

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RFU10TF6S
Rohm Semiconductor

RFU10TF6S

hissə-hissə: 42109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.8V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
RR2L6SDDTE25
Rohm Semiconductor

RR2L6SDDTE25

hissə-hissə: 149341

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SCS212AGHRC
Rohm Semiconductor

SCS212AGHRC

hissə-hissə: 9389

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.55V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RB060L-40DDTE25
Rohm Semiconductor

RB060L-40DDTE25

hissə-hissə: 139747

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB721Q-40T-72
Rohm Semiconductor

RB721Q-40T-72

hissə-hissə: 1697

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 1mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
RBR5L30ATE25
Rohm Semiconductor

RBR5L30ATE25

hissə-hissə: 135247

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 540mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB160A60T-32
Rohm Semiconductor

RB160A60T-32

hissə-hissə: 1547

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RB160A40T-32
Rohm Semiconductor

RB160A40T-32

hissə-hissə: 1491

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SCS220AMC
Rohm Semiconductor

SCS220AMC

hissə-hissə: 8150

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.55V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
RFN10B3STL
Rohm Semiconductor

RFN10B3STL

hissə-hissə: 1229

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 350V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
RFUS20NS4STL
Rohm Semiconductor

RFUS20NS4STL

hissə-hissə: 72169

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 430V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RFN20TJ6SGC9
Rohm Semiconductor

RFN20TJ6SGC9

hissə-hissə: 8486

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.55V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu