Diodlar - Düzəldicilər - Tək

Ev
Diodlar - Düzəldicilər - Tək

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

hissə-hissə: 122766

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

hissə-hissə: 156118

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

hissə-hissə: 166071

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

hissə-hissə: 193734

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

hissə-hissə: 128845

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

hissə-hissə: 191634

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

hissə-hissə: 127642

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

hissə-hissə: 186811

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

hissə-hissə: 174404

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

hissə-hissə: 193813

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

hissə-hissə: 191604

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

hissə-hissə: 128759

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

hissə-hissə: 186880

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

hissə-hissə: 177930

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

hissə-hissə: 187656

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

hissə-hissə: 184541

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

hissə-hissə: 157035

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

hissə-hissə: 174434

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

hissə-hissə: 174405

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

hissə-hissə: 193760

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

hissə-hissə: 128885

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

hissə-hissə: 122728

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

hissə-hissə: 128756

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

hissə-hissə: 164275

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

hissə-hissə: 159938

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

hissə-hissə: 148577

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

hissə-hissə: 197456

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

hissə-hissə: 171186

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

hissə-hissə: 166083

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

hissə-hissə: 163453

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

hissə-hissə: 109249

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

hissə-hissə: 140691

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

hissə-hissə: 166063

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

hissə-hissə: 143683

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

hissə-hissə: 128914

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

hissə-hissə: 166086

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

3600

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»