Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

B150-M3/61T

hissə-hissə: 146576

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/5AT

hissə-hissə: 179738

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-M3/5AT

hissə-hissə: 198807

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGPHE3/54

hissə-hissə: 151865

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGPHE3/54

hissə-hissə: 111574

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGPHE3/73

hissə-hissə: 100743

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGPHE3/73

hissə-hissə: 150825

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGPHE3/54

hissə-hissə: 150441

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254P-E3/54

hissə-hissə: 113295

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/53

hissə-hissə: 131525

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254P-E3/73

hissə-hissə: 106897

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/73

hissə-hissə: 193532

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251P-E3/73

hissə-hissə: 142725

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/73

hissə-hissə: 170661

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-50HE3/96

hissə-hissə: 128991

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-30HE3/97

hissə-hissə: 146176

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-50HE3/97

hissə-hissə: 168676

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/97

hissə-hissə: 136379

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40HE3/96

hissə-hissə: 170907

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40HE3/97

hissə-hissə: 140125

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60HE3/97

hissə-hissə: 125572

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-20HE3/97

hissə-hissə: 141934

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-30-E3/97

hissə-hissə: 100876

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-20-E3/97

hissə-hissə: 154490

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-30HE3/96

hissə-hissə: 166125

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-50-E3/97

hissə-hissə: 156154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60HE3/96

hissə-hissə: 127965

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-20HE3/96

hissə-hissə: 155574

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGPHE3/54

hissə-hissə: 197699

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGPHE3/73

hissə-hissə: 116969

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGPHE3/54

hissə-hissə: 173482

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M/54

hissə-hissə: 137388

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY133GPHE3/73

hissə-hissə: 151609

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGPHE3/54

hissə-hissə: 149538

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGPHE3/73

hissə-hissə: 147814

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.75A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TR

hissə-hissə: 174165

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu