Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

BYD13JGPHE3/54

hissə-hissə: 137355

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGPHE3/73

hissə-hissə: 151087

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGPHE3/73

hissə-hissə: 184874

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGPHE3/54

hissə-hissə: 190156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-M3/52T

hissə-hissə: 139244

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-M3/5BT

hissə-hissə: 197970

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-M3/5BT

hissə-hissə: 136964

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-E3/5BT

hissə-hissə: 155454

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-M3/5BT

hissə-hissə: 117139

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-M3/52T

hissə-hissə: 100390

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/5BT

hissə-hissə: 166310

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-M3/52T

hissə-hissə: 112521

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-E3/52T

hissə-hissə: 138727

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY133GPHE3/54

hissə-hissə: 172848

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGPHE3/54

hissə-hissə: 106867

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGPHE3/73

hissə-hissə: 171332

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGPHE3/54

hissə-hissə: 182970

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGPHE3/73

hissə-hissə: 173344

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGPHE3/73

hissə-hissə: 133090

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400/1

hissə-hissə: 169666

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000/1

hissə-hissə: 121583

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90-E3/TR3

hissə-hissə: 114313

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-M3/5AT

hissə-hissə: 157528

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3_A/H

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/5AT

hissə-hissə: 170108

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/5AT

hissə-hissə: 168339

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR

hissə-hissə: 105664

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B150-E3/5AT

hissə-hissə: 183918

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-E3/5AT

hissə-hissə: 125346

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-M3/61T

hissə-hissə: 123661

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B230LA-M3/5AT

hissə-hissə: 181769

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/5AT

hissə-hissə: 149757

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-M3/TR3

hissə-hissə: 100846

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35-M3/TR

hissə-hissə: 138959

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90-E3/TR

hissə-hissə: 199414

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-M3/5AT

hissə-hissə: 186299

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu