Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

AS4PJHM3/87A

hissə-hissə: 1562

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/86A

hissə-hissə: 1550

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/87A

hissə-hissə: 1549

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/86A

hissə-hissə: 5590

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/87A

hissə-hissə: 1533

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/86A

hissə-hissə: 1514

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/87A

hissə-hissə: 1551

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/87A

hissə-hissə: 1516

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/86A

hissə-hissə: 1523

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/86A

hissə-hissə: 1557

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/87A

hissə-hissə: 1579

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/87A

hissə-hissə: 1491

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/86A

hissə-hissə: 1574

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/86A

hissə-hissə: 1534

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/87A

hissə-hissə: 1551

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/86A

hissə-hissə: 1589

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/87A

hissə-hissə: 1584

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/86A

hissə-hissə: 1577

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/87A

hissə-hissə: 1522

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/86A

hissə-hissə: 1556

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/87A

hissə-hissə: 1503

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/86A

hissə-hissə: 1498

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/86A

hissə-hissə: 1495

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/87A

hissə-hissə: 1521

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/86A

hissə-hissə: 1530

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/87A

hissə-hissə: 1564

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

hissə-hissə: 1498

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/87A

hissə-hissə: 1583

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/87A

hissə-hissə: 1539

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/86A

hissə-hissə: 1529

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/87A

hissə-hissə: 1556

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/86A

hissə-hissə: 1542

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/87A

hissə-hissə: 1229

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/86A

hissə-hissə: 1215

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/87A

hissə-hissə: 1252

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/87A

hissə-hissə: 5198

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.2µs,

Arzu