Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

hissə-hissə: 5232

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

hissə-hissə: 6608

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

hissə-hissə: 5272

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

hissə-hissə: 5238

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

hissə-hissə: 5233

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 8A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 450V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

hissə-hissə: 5083

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

hissə-hissə: 184025

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

hissə-hissə: 129870

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

hissə-hissə: 105477

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

hissə-hissə: 145497

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

hissə-hissə: 132736

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

hissə-hissə: 156237

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

hissə-hissə: 105262

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

hissə-hissə: 114013

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

hissə-hissə: 141692

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

hissə-hissə: 150771

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

hissə-hissə: 149461

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

hissə-hissə: 100270

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 300V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

hissə-hissə: 118674

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

hissə-hissə: 171156

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

hissə-hissə: 4810

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

hissə-hissə: 104340

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

hissə-hissə: 27295

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 18A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

hissə-hissə: 27908

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 18A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

hissə-hissə: 96245

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 375V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

hissə-hissə: 124

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

hissə-hissə: 192103

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

hissə-hissə: 118518

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 285V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

hissə-hissə: 174487

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 30nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

hissə-hissə: 186338

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

hissə-hissə: 25341

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

hissə-hissə: 25369

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

hissə-hissə: 146507

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

hissə-hissə: 7058

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

hissə-hissə: 7067

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

hissə-hissə: 142061

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 30nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu