Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

hissə-hissə: 7027

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

hissə-hissə: 7067

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

hissə-hissə: 6998

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2257,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

hissə-hissə: 7056

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2257,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

hissə-hissə: 6993

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2257(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

hissə-hissə: 7066

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2257,KEHINQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

hissə-hissə: 6789

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

hissə-hissə: 6792

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2257(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

hissə-hissə: 6778

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Arzu
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

hissə-hissə: 6989

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

hissə-hissə: 7064

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

hissə-hissə: 7008

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

hissə-hissə: 7045

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

hissə-hissə: 7037

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

hissə-hissə: 7039

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Arzu
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

hissə-hissə: 7003

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Arzu
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

hissə-hissə: 7001

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 375V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

hissə-hissə: 6717

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

hissə-hissə: 7021

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 800V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

hissə-hissə: 7019

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 375V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC6010(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

hissə-hissə: 6714

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC6040(TPF2,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

hissə-hissə: 7015

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 800V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC5930(TPF2,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

hissə-hissə: 6994

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Arzu
2SC5930(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

hissə-hissə: 6971

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Arzu
2SC5201,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

hissə-hissə: 6716

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Arzu
2SC5201,T6MURAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

hissə-hissə: 7019

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Arzu
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

hissə-hissə: 6724

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Arzu
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

hissə-hissə: 6968

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Arzu
2SC5172(YAZK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

hissə-hissə: 7006

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 400V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 20µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Arzu
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

hissə-hissə: 7026

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 600V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Arzu
2SC5171,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

hissə-hissə: 6967

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

hissə-hissə: 6979

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

hissə-hissə: 6992

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

hissə-hissə: 7059

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

hissə-hissə: 6988

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu
2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

hissə-hissə: 7005

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu