Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 11

2SA1930(Q,M)

hissə-hissə: 150987

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 180V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

hissə-hissə: 6584

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 10A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

hissə-hissə: 6565

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

hissə-hissə: 6708

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

hissə-hissə: 6350

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

hissə-hissə: 6392

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

hissə-hissə: 6324

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

hissə-hissə: 6336

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

hissə-hissə: 6349

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

hissə-hissə: 6343

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

hissə-hissə: 140733

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

hissə-hissə: 142540

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

hissə-hissə: 116579

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

hissə-hissə: 147650

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

hissə-hissə: 193749

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

hissə-hissə: 5659

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

hissə-hissə: 163735

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

hissə-hissə: 22720

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

hissə-hissə: 96385

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

hissə-hissə: 166553

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

hissə-hissə: 198197

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

hissə-hissə: 109658

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

hissə-hissə: 189229

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

hissə-hissə: 5292

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

hissə-hissə: 6617

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

hissə-hissə: 123818

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 400mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

hissə-hissə: 148939

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 400mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

hissə-hissə: 5308

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 400V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

hissə-hissə: 5238

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 400V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

hissə-hissə: 5234

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 300V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

hissə-hissə: 5270

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

hissə-hissə: 5274

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

hissə-hissə: 5285

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

hissə-hissə: 5224

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

hissə-hissə: 5266

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

hissə-hissə: 5302

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Arzu