Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 11

2SA1020-Y(T6ND1,AF

hissə-hissə: 6998

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

hissə-hissə: 6993

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CN,A,F

hissə-hissə: 6954

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(ND1,AF)

hissə-hissə: 6985

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOAF

hissə-hissə: 7006

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(HIT,F,M)

hissə-hissə: 6997

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,T6CSF(J

hissə-hissə: 6930

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

hissə-hissə: 6930

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,F(J

hissə-hissə: 6938

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,CKF(J

hissə-hissə: 6931

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(F,M)

hissə-hissə: 6950

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(TE6,F,M)

hissə-hissə: 6965

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,NSEIKIF(J

hissə-hissə: 6974

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,T6CSF(J

hissə-hissə: 6928

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1013-O,T6MIBF(J

hissə-hissə: 6980

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

hissə-hissə: 6875

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-O(TE85L,F)

hissə-hissə: 6792

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954-A(TE85L,F)

hissə-hissə: 6773

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 6693

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 6762

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3138-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 6780

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 200V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154MFV-GR(TPL3

hissə-hissə: 6792

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5233BTE85LF

hissə-hissə: 6787

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954BTE85LF

hissə-hissə: 6795

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116SU-Y,LF

hissə-hissə: 6677

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586SU-Y,LF

hissə-hissə: 6701

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y,LF

hissə-hissə: 6675

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

hissə-hissə: 6572

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

hissə-hissə: 6628

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

hissə-hissə: 6565

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

hissə-hissə: 6556

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 4A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 30µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

hissə-hissə: 6562

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

hissə-hissə: 6619

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-O(Q)

hissə-hissə: 6562

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TPE6,F)

hissə-hissə: 6533

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TE6,F,M)

hissə-hissə: 6581

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu