Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

AS4PKHM3_A/H

hissə-hissə: 128809

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/86A

hissə-hissə: 101261

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/H

hissə-hissə: 122697

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/87A

hissə-hissə: 175261

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/I

hissə-hissə: 174400

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/H

hissə-hissə: 166135

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PM-M3/87A

hissə-hissə: 130544

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/I

hissə-hissə: 127625

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/84A

hissə-hissə: 145387

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/85A

hissə-hissə: 111526

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/85A

hissə-hissə: 167419

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/84A

hissə-hissə: 169851

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/52T

hissə-hissə: 2002

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/5BT

hissə-hissə: 2001

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/86A

hissə-hissə: 1569

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/87A

hissə-hissə: 1586

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/87A

hissə-hissə: 1558

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/86A

hissə-hissə: 1511

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/87A

hissə-hissə: 5221

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/86A

hissə-hissə: 1534

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/86A

hissə-hissə: 1562

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/87A

hissə-hissə: 1586

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/86A

hissə-hissə: 1572

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/87A

hissə-hissə: 1534

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.7A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PMHM3/87A

hissə-hissə: 1592

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/87A

hissə-hissə: 1551

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/86A

hissə-hissə: 1606

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/87A

hissə-hissə: 5191

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/86A

hissə-hissə: 1598

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/86A

hissə-hissə: 1575

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/87A

hissə-hissə: 1556

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/87A

hissə-hissə: 1536

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/86A

hissə-hissə: 1553

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/87A

hissə-hissə: 1585

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/86A

hissə-hissə: 1567

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/86A

hissə-hissə: 1563

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 962mV @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu