Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BYX10GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/54

hissə-hissə: 1176

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 360mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3/83

hissə-hissə: 1199

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYD13JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/54

hissə-hissə: 1159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BYD13KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/54

hissə-hissə: 1195

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BY255GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/54

hissə-hissə: 1146

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BY134GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GPHE3/54

hissə-hissə: 1225

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
BYV26EGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/73

hissə-hissə: 1202

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYV26DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/73

hissə-hissə: 5173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYW27-400GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/54

hissə-hissə: 5134

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BYW27-200GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/54

hissə-hissə: 1007

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BYV26DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/54

hissə-hissə: 1035

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYV26EGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/54

hissə-hissə: 5119

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.5V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYS459B-1500SE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/81

hissə-hissə: 995

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 6.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 220ns,

Arzu
BYS459B-1500E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/81

hissə-hissə: 956

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 350ns,

Arzu
BYS11-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90HE3/TR3

hissə-hissə: 1024

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYS12-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3/TR3

hissə-hissə: 954

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYS10-45HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3/TR3

hissə-hissə: 1013

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYS10-35HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3/TR3

hissə-hissə: 5156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYS10-25HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25HE3/TR3

hissə-hissə: 979

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 25V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM12-400HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3/97

hissə-hissə: 5156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50HE3/97

hissə-hissə: 1042

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200HE3/97

hissə-hissə: 973

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-300HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3/97

hissə-hissə: 971

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-150HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-150HE3/97

hissə-hissə: 1001

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100HE3/97

hissə-hissə: 5130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM11-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800HE3/97

hissə-hissə: 5150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
BYM11-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000HE3/97

hissə-hissə: 5194

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
BYM07-50HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3/83

hissə-hissə: 947

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3/83

hissə-hissə: 968

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3/83

hissə-hissə: 1015

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYD33MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/54

hissə-hissə: 5173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu
BYD33KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/54

hissə-hissə: 1008

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu
BYD33GGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/54

hissə-hissə: 963

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYD33JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/54

hissə-hissə: 977

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
BYD33DGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/54

hissə-hissə: 945

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYD13MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/54

hissə-hissə: 952

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu