Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

hissə-hissə: 17865

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

hissə-hissə: 149622

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

hissə-hissə: 145929

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

hissə-hissə: 127396

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

hissə-hissə: 102442

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

hissə-hissə: 135265

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

hissə-hissə: 174638

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

hissə-hissə: 165592

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

hissə-hissə: 154481

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

hissə-hissə: 108310

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

hissə-hissə: 191060

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

hissə-hissə: 119015

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

hissə-hissə: 164916

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

hissə-hissə: 162130

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

hissə-hissə: 143315

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

hissə-hissə: 144292

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

hissə-hissə: 191605

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 7.5µs,

Arzu
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

hissə-hissə: 189351

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

hissə-hissə: 136594

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

hissə-hissə: 166134

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

hissə-hissə: 156933

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

hissə-hissə: 190205

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

hissə-hissə: 180095

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

hissə-hissə: 181153

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

hissə-hissə: 114583

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

hissə-hissə: 141378

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 210ns,

Arzu
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

hissə-hissə: 119683

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

hissə-hissə: 146611

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

hissə-hissə: 20320

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

hissə-hissə: 163973

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

hissə-hissə: 20300

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

hissə-hissə: 177974

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 7.5µs,

Arzu
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

hissə-hissə: 105347

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

hissə-hissə: 177694

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

hissə-hissə: 163088

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

hissə-hissə: 187575

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu