Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BA157GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GPHE3/73

hissə-hissə: 877

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYWE29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWE29-200-E3/45

hissə-hissə: 144945

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BYM12-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400-E3/96

hissə-hissə: 126021

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-E3-08

hissə-hissə: 103937

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu
BYM12-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50-E3/96

hissə-hissə: 163510

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM12-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100-E3/96

hissə-hissə: 196039

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM11-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/96

hissə-hissə: 144073

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
BYM07-100HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100HE3/83

hissə-hissə: 5138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BY251GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/73

hissə-hissə: 315

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
B130-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/61T

hissə-hissə: 183563

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYG24J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR

hissə-hissə: 143181

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu
BYG20G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR

hissə-hissə: 161542

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BYS10-35-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35-E3/TR

hissə-hissə: 141652

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYG20J/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J/54

hissə-hissə: 202

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
BY251P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251P-E3/54

hissə-hissə: 119112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BY255P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/54

hissə-hissə: 163512

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BYM13-40-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/96

hissə-hissə: 166090

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM11-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-100-E3/96

hissə-hissə: 193526

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYM10-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/96

hissə-hissə: 172161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM10-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/96

hissə-hissə: 173667

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BY228TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228TR

hissə-hissə: 184580

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 20µs,

Arzu
BY268TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TR

hissə-hissə: 150515

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 400mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
BYM07-300-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300-E3/98

hissə-hissə: 127502

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/97

hissə-hissə: 194682

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/97

hissə-hissə: 185832

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYW86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86TAP

hissə-hissə: 186884

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 7.5µs,

Arzu
BYW56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TAP

hissə-hissə: 183601

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/97

hissə-hissə: 194021

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BY203-20STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STAP

hissə-hissə: 170989

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.4V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu
BY269TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TR

hissə-hissə: 115634

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 400mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 400ns,

Arzu
BAS82-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS82-GS08

hissə-hissə: 177556

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BYV38-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TR

hissə-hissə: 130335

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

Arzu
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000-E3/97

hissə-hissə: 124350

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
BYM13-40-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/97

hissə-hissə: 153086

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM11-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/97

hissə-hissə: 125337

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
BYG24G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR

hissə-hissə: 132088

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 140ns,

Arzu