Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

hissə-hissə: 174085

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

hissə-hissə: 113865

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

hissə-hissə: 165220

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 120ns,

Arzu
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

hissə-hissə: 126850

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

hissə-hissə: 125289

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

hissə-hissə: 128278

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

hissə-hissə: 143333

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

hissə-hissə: 182315

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

hissə-hissə: 192905

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

hissə-hissə: 135103

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

hissə-hissə: 138454

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYM36E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

hissə-hissə: 193769

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.9A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.78V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BYV28-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

hissə-hissə: 134642

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

hissə-hissə: 133505

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 70V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

hissə-hissə: 190878

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 125V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

hissə-hissə: 153878

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.07V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

hissə-hissə: 115843

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BY228-15TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

hissə-hissə: 193803

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

hissə-hissə: 150982

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

hissə-hissə: 109607

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

hissə-hissə: 147679

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

hissə-hissə: 175247

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

hissə-hissə: 119517

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

hissə-hissə: 176831

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYV28-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

hissə-hissə: 163502

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

hissə-hissə: 170389

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

hissə-hissə: 23260

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

hissə-hissə: 181076

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

hissə-hissə: 190132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

hissə-hissə: 102266

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

hissə-hissə: 101367

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

hissə-hissə: 110111

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAT46W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

hissə-hissə: 105403

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 250mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV100-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

hissə-hissə: 115219

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYT78-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

hissə-hissə: 181219

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

hissə-hissə: 136486

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 4µs,

Arzu